Оперативная память Micron 4Gb DDR3-1600 PC3L-12800E (MT18KSF51272AZ-1G6) UDIMM ECC Unbuffered

Описание Оперативная память Micron 4Gb DDR3-1600 PC3L-12800 2Rx8 (MT18KSF51272AZ-1G6) UDIMM ECC Unbuffered

Micron 4Gb DDR3-1600 PC3L-12800E (MT18KSF51272AZ-1G6) RDIMM ECC Registered - это высококачественный модуль оперативной памяти, предназначенный для использования в серверных системах и рабочих станциях, где требования к производительности и надежности являются критическими. Вот подробное описание вместе с ключевыми характеристиками этого продукта:

Характеристики:

• Объем памяти: 4 гигабайта - Это позволяет эффективно работать с различными задачами и приложениями.
• Тип памяти: DDR3 PC3L-12800E - обеспечивает высокую скорость передачи данных и эффективную работу системы.
• Ранг памяти: 2Rx8.
• Форм-фактор: UDIMM (ECC Unbuffered) - обеспечивает стабильность и надежность работы памяти в условиях высокой нагрузки.
• Технология ошибок корректировки: ECC (Error Correcting Code) - обеспечивает надежность и устойчивость работы системы путем обнаружения и корректировки ошибок памяти.
• Модель: MT18KSF51272AZ-1G6 - это конкретный парт-номер модуля памяти в серии Micron DDR3 UDIMM.

Micron 4Gb DDR3-1600 PC3L-12800E (MT18KSF51272AZ-1G6) RDIMM ECC Registered - это надежный и производительный вариант оперативной памяти для высокоэффективных серверных систем и рабочих станций. Она обеспечивает стабильную и надежную работу системы при выполнении больших вычислительных задач и операций с данными.